紫芯半导体流片工艺图：
275nm 深紫外LED芯片
1.特征：
▪ AlGaN基倒装式深紫外LED芯片
▪ 高功率和高效率
▪ 长寿命
▪ 符合RoHS
2.应用程序：
▪ 消毒
▪ 紫外线固化
▪ 荧光光谱学
▪ 光疗
点击下载规格书-UV-CHIPS-4040
3. 外形尺寸：
4. 光电特性 (IF = 20 mA, Ta = 25 ℃)
| Parameters | Symbol | Unit | Min. | Aug. | Max. |
| Peak Wavelength | λP | nm | 250 | 275 | 320 |
| FWHM | Wh | nm | - | 11 | - |
| Output Power | PO | mW | 40 | 70 | 100 |
| Forward Voltage | VF | V | 5.0 | 6.0 | 7.0 |
| Viewing Angle | 2θ1/2 | ° | - | 125 | - |
5.绝对**额定值(Ta = 25 ℃)
| 参数 | 符号 | 评级 | 单位 |
| 正向电流 | IF | 350 | mA |
| 结温 | Tj | 85 | ℃ |
| 工作温度 | Topr | -30~60 | ℃ |
| 储存温度 | Tstg | -40~100 | ℃ |
6. 特性曲线 (Ta = 25 ℃)
| 正向电压与正向电流 | 正向电流与相对辐射通量 | ||||
正向电压[V] |
正向电流 | ||||
| 频谱, IF = 20 mA | 正向电流与峰值波长 | ||||
波长 [nm] |
正向电流 [mA] | ||||
| 方向性 | 环境温度与正向电压偏移 | ||||
相对强度（%） |
环境温度 [℃] | ||||
|
|
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