安徽印发制造业重点领域相关指导目录 涉及深紫外LED方向

碳化硅衬底、芯片和模块

衬底：

1.研究大尺寸4H-SiC单晶生长与电学性能控制技术，有效提升电学性质一致性和可靠性；

2.研究SiC单晶生长的热力学和动力学特性，研究晶体生长过程中杂质、多相、微管和缺陷控制技术，推进大尺寸、低成本SiC单晶的产业化；

3.针对SiC衬底加工工艺和表面质量、面型参数等关键技术问题，研究高效、低损耗的加工技术和大尺寸SiC单晶衬底表面粗糙度控制技术。

芯片：面向新能源汽车应用，研究大电流SiC MOSFET芯片技术，需要突破栅氧化层可靠性技术、高迁移率技术，车规级芯片的制造技术（可靠性、一致性控制）。

模块：SiC功率模块封装工艺技术研究；SiC功率模块可靠性提升研究；并联通路寄生参数一致性研究。

新能源汽车电控系统SOC芯片开发与产业化

本项目芯片主要研发两款车规级电机驱动主控SOC芯片：ASM34AF1288、ASM31AM6408，其中ASM34AF1288定位于新能源汽车高端电控主芯片，ASM31AM6408定位于新能源汽车/汽车辅助电控芯片。作为整个电控系统的大脑，该两款芯片主要应用于新能源汽车的水泵、油泵、电动空调加热器PTC、车窗等电控系统中。

高密度LED封装用高导热柔性金属基地电路板研发与产业化

研制柔性电路板基材下部第二结胶体层以及绝缘层，形成至少一个开口；使得去除的开口部分一直延伸到线路导体铜箔层部位；控制激光刻蚀线路导体铜箔层的深度范围在0.05um-2000um之间，可有效的解决传统制作方式的散热问题，大幅度增强了散热性能。

深紫外LED专用图形化衬底及芯片制备技术的研究及产业化

一种适用于AlN和高铝组分AlGaN 紫外LED芯片外延片生长的纳米图形化蓝宝石衬底，主要解决问题：1.改进UVC半导体外延工艺；2.提升杀菌效率；3.改善散热。