UVC LED相关技术原理

1. 芯片：UVC芯片以倒装芯片为目前主流，但还不一定是**结构。垂直芯片也有其独特优势，如电流扩展更好，吸光少，散热好等。但因材料主要是AlN，要将其与蓝宝石衬底剥离，需要波长短、能量大的准分子激光器才能做到，但这又会对外延材料造成严重损伤。故截止目前仍然只有LGIT能够做到垂直结构UVC LED的量产。如果能找到既经济又简单的剥离方法，那么垂直结构有机会成为UVC LED大功率主流。

2. 封装：主要考虑UVC LED的散热和出光。在材料方面，经过多年的发展，目前市面上UVC LED基本以倒装芯片搭配高导热氮化铝基板的方案为主。固晶方式有银浆、锡膏、金锡共晶焊，其中共晶方式主要通过助焊剂进行焊接，相对能有效提升芯片与基板的结合强度，导热率，更为可靠，有利于UVC LED的品质管控。

3. 寿命：UVC LED长时间工作会光衰引起老化，尤其对大功率UVC LED来说，光衰问题更加严重。在衡量UVC LED的寿命时，仅仅以灯的损坏作为UVC LED寿命的终点是远远不够的，应该以UVC LED的光衰减百分比来规定LED的寿命。目前从产业主流水平看，在UVC LED应用中，消费类产品L70(1000H)、家电类产品达L50（10000H）较佳。

4. 发光效率：一般指UVC LED的外部量子效率（EQE），是器件内部量子效率与取出效率的乘积。内部量子效率（IQE）主要与器件本身的特性（如器件材料的能带、缺陷、杂质）、外延片材料及结构等相关。而器件的取出效率指的是器件内部产生的光子在经过器件本身的吸收、折射、反射后，实际在器件外部可测量到的数据。因此，影响取出效率的因素包括了器件材料本身的吸收、散射、结构及封装材料的折射率差等。