安徽省紫芯半导体技术有限公司
Anhui UV-Chips semiconductor technology Co., Ltd

Epi Wafer(GaN| SiC)
ABUIABACGAAg4P7XhQYozPrGnwIwtQU4vQM

Epi Specs-UV-CHIPS Standard GaN|SiC epi specs

外延片说明-紫芯半导体标准氮化镓外延片|碳化硅外延片

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4英寸氮化镓外延片|碳化硅外延片 HEMT外延片产品


Epi structureEpi spec
Substrate Thickness (µm)500 ±25
Epi Thickness (µm)

1.8 to 2.0μm or upon customers’ request

XRD Rocking Curve

(002) ≤ 200 arcsec

(102) ≤ 250 arcsec

Epi Sheet Resistance (Rsh)*350±35 Ω/sq or upon customers’ request
Epi Sheet Resistance uniformity**Rsh Stdev. ≤2%
Ns(cm-2)***

0.8 ~ 1.1 X1013 or upon customer

request

Electron Mobility(cm2V-1s-1)****

≥2000
Epi Surface Roughness (rms)

≤0.5nm

Epi Total Thickness Variation

(TTV)

≤10μm
Wafer Wrap, Bow≤30μm
In-situ SiNxAvailable upon customer request
Wafer Edge Exclusion≤3mm


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